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O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos sinais são gm = 16,6 × 10-3 S, rB = 6,0 k\Omega e ro = 121 k\Omega. Com referência a esse circuito, julgue o item seguinte.

 

A resistência de entrada do circuito amplificador, Rin, é igual a 20 k\Omega.



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